2024年5月23日，5357cc拉斯维加斯在10号楼311室成功举办了第626期阳光论坛，此次论坛邀请了华中科技大学的刘佳欣博士后作为主讲人，她带来了题为“应用于碳化硅功率器件的高性能纳米金属互连材料研究”的精彩报告，5357cc拉斯维加斯余联庆院长对刘佳欣博士后进行了热情的介绍。
碳化硅（SiC）作为第三代功率半导体材料，因其高热导率、高熔点、高击穿场强和高饱和电子漂移速率等显著优点，在多个高科技领域展现出广泛的应用前景。刘佳欣博士在报告中详细介绍了当前SiC功率器件的封装挑战，特别是传统锡基焊料在高效散热和高可靠性服务方面的局限性。她深入探讨了纳米金属互连材料如纳米银、纳米铜焊膏的研究进展，这些材料因其“低温互连、高温服役”的独特属性受到了业界的广泛关注。尽管存在成本高昂、孔隙率问题和氧化风险，刘博士的团队已在跨尺度烧结机制方面取得了初步突破，展示了这些材料在提高SiC器件封装性能和可靠性方面的潜力。
论坛中，曹龙超老师、高飘老师、张丽彬老师及2022级研究生王俊涛等分别提出了针对性的问题，与刘博士就技术细节、实际应用及未来研究方向进行了深入交流，让与会者对纳米金属互连材料的最新研究趋势有了更为直观的认识。
此次阳光论坛不仅为在校研究生和教师提供了一个了解前沿科技的平台，也促进了学术界与工业界在半导体材料领域的深入交流与合作。武汉纺织大学将继续举办此类论坛，以保持学术社群的活力和创新能力。
